Pannuhuone:Samsung MZ-V9S2T0BW - Muutoshistoria

Jani Uusitalo (10. syyskuuta 2025 kello 13.13)

2025-09-10T13:13:45Z

← Vanhempi versio		Versio 10. syyskuuta 2025 kello 13.13
Rivi 3:		Rivi 3:
	!Yleistä		!Yleistä
	!Firmware-versio		!Firmware-versio
	\|~~{{TODO}}~~		\|2B2QKXG7
	\|-		\|-
	!		!

Jani Uusitalo (10. syyskuuta 2025 kello 12.14)

2025-09-10T12:14:32Z

← Vanhempi versio		Versio 10. syyskuuta 2025 kello 12.14
Rivi 3:		Rivi 3:
	!Yleistä		!Yleistä
	!Firmware-versio		!Firmware-versio
	\|~~2B7QCXE7~~		\|{{TODO}}
	\|-		\|-
	!		!
	!Kapasiteetti		!Kapasiteetti
	\|~~250 Gt~~		\|2 Tt
	\|-		\|-
	!		!
Rivi 15:		Rivi 15:
	!		!
	!Liitäntä		!Liitäntä
	\|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2		\|PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0
	\|-		\|-
	!		!
Rivi 23:		Rivi 23:
	!		!
	!Paino		!Paino
	\|7,7 g		\|9,0 g
	\|-		\|-
	!		!
	!NAND-tyyppi		!NAND-tyyppi
	\|Samsung v-NAND		\|Samsung v-NAND TLC
	\|-		\|-
	!		!
	!Ohjain		!Ohjain
	\|Samsung ~~Polaris~~		\|Samsung
	\|-		\|-
	!		!
	!Välimuisti		!Välimuisti
	\|~~Samsung 512 Mt Low Power DDR3~~		\|Host Memory Buffer
	\|-		\|-
	!		!
Rivi 44:		Rivi 44:
	* Auto Garbage Collection Algorithm		* Auto Garbage Collection Algorithm
	* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal		* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
			* lepotila
	\|-		\|-
	!Suorituskyky		!Suorituskyky
	!Sequential Read		!Sequential Read
	\|~~3 200~~ Mt/s		\|7 250 Mt/s
	\|-		\|-
	!		!
	!Sequential Write		!Sequential Write
	\|~~1 500~~ Mt/s		\|6 300 Mt/s
	\|-		\|-
	!		!
	!Random Read (4KB, QD32)		!Random Read (4KB, QD32)
	\|~~330~~ 000 IOPS (Thread 4)		\|1 000 000 IOPS (Thread 4)
	\|-		\|-
	!		!
	!Random Write (4KB, QD32)		!Random Write (4KB, QD32)
	\|~~300~~ 000 IOPS (Thread 4)		\|1 350 000 IOPS (Thread 4)
	\|-
	!
	~~!Random Read (4KB, QD1)~~
	~~\|14 000 IOPS (Thread 1)~~
	\|-
	!
	~~!Random Write (4KB, QD1)~~
	~~\|50,000 IOPS~~
	\|-		\|-
	!Ympäristö		!Ympäristö
	!Teho käytössä (tyyp.)		!Teho käytössä (tyyp.)
	\|5,3 W		\|4,6 W
	\|-		\|-
	!		!
	!Teho tyhjäkäynnillä		!Teho tyhjäkäynnillä
	\|40 mW		\|60 mW
	\|-		\|-
	!		!
Rivi 87:		Rivi 80:
	!		!
	!Iskunkestävyys		!Iskunkestävyys
	\|1 500 G / 0,5 ms~~, 3-ulott.~~		\|1 500 G / 0,5 ms
	\|-		\|-
	!		!
	!Valmistajan takuu		!Valmistajan takuu
	\|3 v / ~~100~~ TBW		\|5 v / 1200 TBW
	\|}		\|}

Jani Uusitalo: Ak: Uusi sivu: {| class="alternating" |- !Yleistä !Firmware-versio |2B7QCXE7 |- ! !Kapasiteetti |250 Gt |- ! !Liitin |M.2 |- ! !Liitäntä |PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 |- ! !Mitat (L × K × S, mm) |80,15 × 22,15 × 2,38 |- ! !Paino |7,7 g |- ! !NAND-tyyppi |Samsung v-NAND |- ! !Ohjain |Samsung Polaris |- ! !Välimuisti |Samsung 512 Mt Low Power DDR3 |- ! !Tuetut tekniikat | * TRIM * S.M.A.R.T. * Auto Garbage Collection Algorithm * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal |- !Suorituskyky !Sequenti...

2025-09-10T12:04:14Z

Ak: Uusi sivu: {| class="alternating" |- !Yleistä !Firmware-versio |2B7QCXE7 |- ! !Kapasiteetti |250 Gt |- ! !Liitin |M.2 |- ! !Liitäntä |PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 |- ! !Mitat (L × K × S, mm) |80,15 × 22,15 × 2,38 |- ! !Paino |7,7 g |- ! !NAND-tyyppi |Samsung v-NAND |- ! !Ohjain |Samsung Polaris |- ! !Välimuisti |Samsung 512 Mt Low Power DDR3 |- ! !Tuetut tekniikat | * TRIM * S.M.A.R.T. * Auto Garbage Collection Algorithm * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal |- !Suorituskyky !Sequenti...

Uusi sivu

{| class="alternating"
|-
!Yleistä
!Firmware-versio
|2B7QCXE7
|-
!
!Kapasiteetti
|250 Gt
|-
!
!Liitin
|M.2
|-
!
!Liitäntä
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
|-
!
!Mitat (L × K × S, mm)
|80,15 × 22,15 × 2,38
|-
!
!Paino
|7,7 g
|-
!
!NAND-tyyppi
|Samsung v-NAND
|-
!
!Ohjain
|Samsung Polaris
|-
!
!Välimuisti
|Samsung 512 Mt Low Power DDR3
|-
!
!Tuetut tekniikat
|
* TRIM
* S.M.A.R.T.
* Auto Garbage Collection Algorithm
* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
|-
!Suorituskyky
!Sequential Read
|3 200 Mt/s
|-
!
!Sequential Write
|1 500 Mt/s
|-
!
!Random Read (4KB, QD32)
|330 000 IOPS (Thread 4)
|-
!
!Random Write (4KB, QD32)
|300 000 IOPS (Thread 4)
|-
!
!Random Read (4KB, QD1)
|14 000 IOPS (Thread 1)
|-
!
!Random Write (4KB, QD1)
|50,000 IOPS
|-
!Ympäristö
!Teho käytössä (tyyp.)
|5,3 W
|-
!
!Teho tyhjäkäynnillä
|40 mW
|-
!
!Kestävyys (MTBF)
|1,5 milj. h
|-
!
!Toimintaympäristön lämpöalue
|0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
|-
!
!Iskunkestävyys
|1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
|-
!
!Valmistajan takuu
|3 v / 100 TBW
|}

== Mukana kokoonpanoissa ==
* [[Pannuhuone:saegusa]]

== Aiheesta muualla ==
* [https://www.samsung.com/fi/memory-storage/nvme-ssd/990-evo-plus-2tb-nvme-pcie-gen-4-mz-v9s2t0bw/ Samsung: 990 EVO Plus PCle 5.0 NVMe™ M.2 SSD-levy]

[[Luokka:1-999 gigatavun SSD:t]]
[[Luokka:SSD:t M.2-liittimellä]]
[[Luokka:NVMe-asemat]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|990 EVO Plus MZ-V9S2T0BW]]