Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung PM981 MZVLB256HAHQ” versioiden välillä

Mummilan wikistä
Ei muokkausyhteenvetoa
Ei muokkausyhteenvetoa
 
Rivi 128: Rivi 128:
* [https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2018/05/PM981_M.2_SSD_Datasheet_v1.3_for_General.pdf Samsung: M.2 NVMe PCIe SSD specification (PM981)] (PDF)
* [https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2018/05/PM981_M.2_SSD_Datasheet_v1.3_for_General.pdf Samsung: M.2 NVMe PCIe SSD specification (PM981)] (PDF)


[[Luokka:250-499 gigatavun SSD-asemat]]
[[Luokka:250-499 gigatavun SSD:t]]
[[Luokka:SSD-asemat M.2-liittimellä]]
[[Luokka:SSD:t M.2-liittimellä]]
[[Luokka:NVMe-asemat]]
[[Luokka:NVMe-asemat]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|PM981 MZVLB256HAHQ]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|PM981 MZVLB256HAHQ]]

Nykyinen versio 6. toukokuuta 2019 kello 16.12

Yleistä Firmware-versio TÄYDENNETTÄVÄ
Kapasiteetti 256 Gt
Liitin M.2
Liitäntä PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2a
Mitat (L × P × S, mm, ±0,15) 22,00 × 80,00 × 2,38
Paino 9,0 g
NAND-tyyppi 3D MLC
Ohjain Samsung Polaris
Välimuisti TÄYDENNETTÄVÄ
Tuetut tekniikat
  • APST- ja L 1.2-virransäästö
  • Admin & NVM Command Set
  • 256-bittinen AES-XTS, TCG OPAL v2.0 -yhteensopiva
Suorituskyky Sequential Read 3 000 MB/sec
Sequential Write 1 300 MB/sec
Random Read (4KB) 130 000 IOPS
Random Write (4KB) 310 000 IOPS
Virrankulutus Jännite 3,3V ± 5 %
Hurinajännite (enint.) 100 mV p-p
Teho luettaessa (tyyp., RMS) 5,9 W
Teho kirjoitettaessa (tyyp., RMS) 5,7 W
Teho käyttämättömänä (tyyp.) 30 mW
Teho käyttämättömänä, L1.2 (tyyp.) 5 mW
Ympäristö Virrankulutus tyyp. keskim. 5,3 W, tyhjäkäynnillä 40 mW
Kestävyys (UBER) <1 sektori / 1015 bit
Kestävyys (MTBF) 1,5 milj. h
Ympäristön lämpöalue käytössä 0 — 70 °C
Ympäristön lämpöalue käyttämättömänä -40 — 85 °C
Ympäristön kosteusalue 5 — 95 % (tiivistymätöntä)
Iskunkestävyys käyttämättömänä 1 500 Gpeak
Tärinänkestävyys käyttämättömänä 20 Gpeak
Valmistajan takuu 3 v / 100 TBW

Mukana kokoonpanoissa

Aiheesta muualla