Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW” versioiden välillä

Mummilan wikistä
Ak: Uusi sivu: {| class="alternating" |- !Firmware-versio |332ABBF0 |- !Liitäntä |SATA 3.0 (6 Gb/s) |- !Kokonaiskirjoitusikä (TBW) |38,4 Tt |- !MTBF |1 000 000 h |- !Jatkuva lukunopeus (SATA...
 
Ei muokkausyhteenvetoa
 
(17 välissä olevaa versiota samalta käyttäjältä ei näytetä)
Rivi 1: Rivi 1:
{| class="alternating"
{| class="alternating"
|-
|-
!Yleistä
!Firmware-versio
!Firmware-versio
|332ABBF0
|2B7QCXE7
|-
|-
!
!Kapasiteetti
|250 Gt
|-
!
!Liitin
|M.2
|-
!
!Liitäntä
!Liitäntä
|SATA 3.0 (6 Gb/s)
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
|-
|-
!Kokonaiskirjoitusikä (TBW)
!
|38,4 Tt
!Mitat (L × K × S, mm)
|80,15 × 22,15 × 2,38
|-
|-
!MTBF
!
|1 000 000 h
!Paino
|-
|7,7 g
!Jatkuva lukunopeus (SATA 3.0/2.0, Mt/s)
|535 / 280
|-
|-
!Jatkuva kirjoitusnopeus (SATA 3.0/2.0, Mt/s)
!
|460 / 260
!NAND-tyyppi
|Samsung v-NAND
|-
|-
!Jatkuva satunnaistettu 4k luku/kirjoitus, IOPS
!
|12.000 / 47.000
!Ohjain
|Samsung Polaris
|-
|-
!Satunnaistettu 4k luku/kirjoitus, enimm., IOPS
!
|85 000 / 60 000
!Välimuisti
|Samsung 512 Mt Low Power DDR3
|-
|-
!Korkeus
!
|9,5 mm
!Tuetut tekniikat
|
* TRIM
* S.M.A.R.T.
* Auto Garbage Collection Algorithm
* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
|-
|-
!Pituus
!Suorituskyky
|100 mm
!Sequential Read
|3 200 Mt/s
|-
|-
!Leveys
!
|69,85 mm
!Sequential Write
|1 500 Mt/s
|-
|-
!Paino
!
|115 g
!Random Read (4KB, QD32)
|330 000 IOPS (Thread 4)
|-
|-
!Kokoluokka
!
|2,5 "
!Random Write (4KB, QD32)
|300 000 IOPS (Thread 4)
|-
|-
!Valmistajan takuu
!
|3 v
!Random Read (4KB, QD1)
|14 000 IOPS (Thread 1)
|-
|-
!Virrankulutus (luku/kirjoitus)
!
|1,75 A
!Random Write (4KB, QD1)
|50,000 IOPS
|-
|-
!Teho (luku/kirjoitus)
!Ympäristö
|5,30 W
!Teho käytössä (tyyp.)
|5,3 W
|-
|-
!Tyhjäkäynnillä
!
|0,565 W
!Teho tyhjäkäynnillä
|40 mW
|-
|-
!Luettaessa
!
|1,795 W
!Kestävyys (MTBF)
|1,5 milj. h
|-
|-
!Kirjoitettaessa
!
|3,23 W
!Toimintaympäristön lämpöalue
|0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
|-
|-
!Tärinän kesto (käytössä)
!
|2,17 G
!Iskunkestävyys
|1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
|-
|-
!Tärinän kesto (käyttämättömänä)
!
|20 G
!Valmistajan takuu
|3 v / 100 TBW
|}
|}


== Mukana kokoonpanoissa ==
== Mukana kokoonpanoissa ==
* [[Pannuhuone:HP Compaq Presario SR5611SC|HP Compaq Presario SR5611SC]]
* [[Pannuhuone:Nuc-niemi|Nuc-niemi]]


== Aiheesta muualla ==
== Aiheesta muualla ==
*[http://www.kingston.com/us/ssd/vplus#vp200 Kingston SSDNow V+200 60 GB]
* [http://www.samsung.com/fi/support/model/MZ-V6E250BW Samsung: 960 EVO NVMe M.2 SSDMZ-V6E250]
 
== Katso myös ==
* [[Tiedosto:Read-Kingston SSDNow V+200 60 GB.txt]]
* [[Tiedosto:Write-Kingston SSDNow V+200 60 GB.txt]]


[[Luokka:SSD-asemat]]
[[Luokka:250 gigatavun SSD:t]]
[[Luokka:SSD:t M.2-liittimellä]]
[[Luokka:NVMe-asemat]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|960 EVO MZ-V6E150BW]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|960 EVO MZ-V6E150BW]]

Nykyinen versio 6. toukokuuta 2019 kello 16.13

Yleistä Firmware-versio 2B7QCXE7
Kapasiteetti 250 Gt
Liitin M.2
Liitäntä PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
Mitat (L × K × S, mm) 80,15 × 22,15 × 2,38
Paino 7,7 g
NAND-tyyppi Samsung v-NAND
Ohjain Samsung Polaris
Välimuisti Samsung 512 Mt Low Power DDR3
Tuetut tekniikat
  • TRIM
  • S.M.A.R.T.
  • Auto Garbage Collection Algorithm
  • salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
Suorituskyky Sequential Read 3 200 Mt/s
Sequential Write 1 500 Mt/s
Random Read (4KB, QD32) 330 000 IOPS (Thread 4)
Random Write (4KB, QD32) 300 000 IOPS (Thread 4)
Random Read (4KB, QD1) 14 000 IOPS (Thread 1)
Random Write (4KB, QD1) 50,000 IOPS
Ympäristö Teho käytössä (tyyp.) 5,3 W
Teho tyhjäkäynnillä 40 mW
Kestävyys (MTBF) 1,5 milj. h
Toimintaympäristön lämpöalue 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
Iskunkestävyys 1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
Valmistajan takuu 3 v / 100 TBW

Mukana kokoonpanoissa

Aiheesta muualla

Noudettu kohteesta ”https://mummila.net/wiki/index.php?title=Pannuhuone:Samsung_960_EVO_MZ-V6E250BW&oldid=13314”