Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW” versioiden välillä
Ei muokkausyhteenvetoa |
|||
(14 välissä olevaa versiota samalta käyttäjältä ei näytetä) | |||
Rivi 1: | Rivi 1: | ||
{| class="alternating" | {| class="alternating" | ||
|- | |- | ||
!Yleistä | |||
!Firmware-versio | !Firmware-versio | ||
| | |2B7QCXE7 | ||
|- | |- | ||
! | |||
!Kapasiteetti | !Kapasiteetti | ||
|250 Gt | |250 Gt | ||
|- | |- | ||
! | |||
!Liitin | |||
|M.2 | |||
|- | |||
! | |||
!Liitäntä | !Liitäntä | ||
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 | |PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Mitat (L × K × S, mm) | !Mitat (L × K × S, mm) | ||
|80,15 × 22,15 × 2,38 | |80,15 × 22,15 × 2,38 | ||
|- | |- | ||
! | |||
!Paino | !Paino | ||
|7,7 g | |7,7 g | ||
|- | |- | ||
! | |||
!NAND-tyyppi | !NAND-tyyppi | ||
|Samsung v-NAND | |Samsung v-NAND | ||
|- | |- | ||
! | |||
!Ohjain | !Ohjain | ||
|Samsung Polaris | |Samsung Polaris | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Välimuisti | ||
|Samsung 512 Mt Low Power DDR3 | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Tuetut tekniikat | ||
| | |||
* TRIM | |||
* S.M.A.R.T. | |||
* Auto Garbage Collection Algorithm | |||
* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal | |||
|- | |- | ||
! | !Suorituskyky | ||
| | !Sequential Read | ||
|3 200 Mt/s | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Sequential Write | ||
|1 500 Mt/s | |||
|- | |||
! | |||
!Random Read (4KB, QD32) | |||
|330 000 IOPS (Thread 4) | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Random Write (4KB, QD32) | ||
|300 000 IOPS (Thread 4) | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Random Read (4KB, QD1) | ||
|14 000 IOPS (Thread 1) | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Random Write (4KB, QD1) | ||
|50,000 IOPS | |||
|- | |- | ||
!Teho ( | !Ympäristö | ||
|5, | !Teho käytössä (tyyp.) | ||
|5,3 W | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Teho tyhjäkäynnillä | ||
|40 mW | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
|1, | !Kestävyys (MTBF) | ||
|1,5 milj. h | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Toimintaympäristön lämpöalue | ||
|0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa) | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Iskunkestävyys | ||
|1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott. | |||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| | !Valmistajan takuu | ||
|3 v / 100 TBW | |||
|} | |} | ||
== Mukana kokoonpanoissa == | == Mukana kokoonpanoissa == | ||
* [[Pannuhuone: | * [[Pannuhuone:Nuc-niemi|Nuc-niemi]] | ||
== Aiheesta muualla == | == Aiheesta muualla == | ||
*[http://www.samsung.com/fi/support/model/MZ-V6E250BW Samsung: 960 EVO NVMe M.2 SSDMZ-V6E250 | * [http://www.samsung.com/fi/support/model/MZ-V6E250BW Samsung: 960 EVO NVMe M.2 SSDMZ-V6E250] | ||
[[Luokka:SSD-asemat]] | [[Luokka:250 gigatavun SSD:t]] | ||
[[Luokka:SSD:t M.2-liittimellä]] | |||
[[Luokka:NVMe-asemat]] | |||
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|960 EVO MZ-V6E150BW]] | [[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|960 EVO MZ-V6E150BW]] |
Nykyinen versio 6. toukokuuta 2019 kello 16.13
Yleistä | Firmware-versio | 2B7QCXE7 |
---|---|---|
Kapasiteetti | 250 Gt | |
Liitin | M.2 | |
Liitäntä | PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 | |
Mitat (L × K × S, mm) | 80,15 × 22,15 × 2,38 | |
Paino | 7,7 g | |
NAND-tyyppi | Samsung v-NAND | |
Ohjain | Samsung Polaris | |
Välimuisti | Samsung 512 Mt Low Power DDR3 | |
Tuetut tekniikat |
| |
Suorituskyky | Sequential Read | 3 200 Mt/s |
Sequential Write | 1 500 Mt/s | |
Random Read (4KB, QD32) | 330 000 IOPS (Thread 4) | |
Random Write (4KB, QD32) | 300 000 IOPS (Thread 4) | |
Random Read (4KB, QD1) | 14 000 IOPS (Thread 1) | |
Random Write (4KB, QD1) | 50,000 IOPS | |
Ympäristö | Teho käytössä (tyyp.) | 5,3 W |
Teho tyhjäkäynnillä | 40 mW | |
Kestävyys (MTBF) | 1,5 milj. h | |
Toimintaympäristön lämpöalue | 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa) | |
Iskunkestävyys | 1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott. | |
Valmistajan takuu | 3 v / 100 TBW |