Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung MZ-V9S2T0BW” versioiden välillä
Ak: Uusi sivu: {| class="alternating" |- !Yleistä !Firmware-versio |2B7QCXE7 |- ! !Kapasiteetti |250 Gt |- ! !Liitin |M.2 |- ! !Liitäntä |PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 |- ! !Mitat (L × K × S, mm) |80,15 × 22,15 × 2,38 |- ! !Paino |7,7 g |- ! !NAND-tyyppi |Samsung v-NAND |- ! !Ohjain |Samsung Polaris |- ! !Välimuisti |Samsung 512 Mt Low Power DDR3 |- ! !Tuetut tekniikat | * TRIM * S.M.A.R.T. * Auto Garbage Collection Algorithm * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal |- !Suorituskyky !Sequenti... |
(ei mitään eroa)
|
Versio 10. syyskuuta 2025 kello 14.04
| Yleistä | Firmware-versio | 2B7QCXE7 |
|---|---|---|
| Kapasiteetti | 250 Gt | |
| Liitin | M.2 | |
| Liitäntä | PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 | |
| Mitat (L × K × S, mm) | 80,15 × 22,15 × 2,38 | |
| Paino | 7,7 g | |
| NAND-tyyppi | Samsung v-NAND | |
| Ohjain | Samsung Polaris | |
| Välimuisti | Samsung 512 Mt Low Power DDR3 | |
| Tuetut tekniikat |
| |
| Suorituskyky | Sequential Read | 3 200 Mt/s |
| Sequential Write | 1 500 Mt/s | |
| Random Read (4KB, QD32) | 330 000 IOPS (Thread 4) | |
| Random Write (4KB, QD32) | 300 000 IOPS (Thread 4) | |
| Random Read (4KB, QD1) | 14 000 IOPS (Thread 1) | |
| Random Write (4KB, QD1) | 50,000 IOPS | |
| Ympäristö | Teho käytössä (tyyp.) | 5,3 W |
| Teho tyhjäkäynnillä | 40 mW | |
| Kestävyys (MTBF) | 1,5 milj. h | |
| Toimintaympäristön lämpöalue | 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa) | |
| Iskunkestävyys | 1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott. | |
| Valmistajan takuu | 3 v / 100 TBW |