Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW” versioiden välillä

Mummilan wikistä
Ei muokkausyhteenvetoa
Ei muokkausyhteenvetoa
 
(5 välissä olevaa versiota samalta käyttäjältä ei näytetä)
Rivi 8: Rivi 8:
!Kapasiteetti
!Kapasiteetti
|250 Gt
|250 Gt
|-
!
!Liitin
|M.2
|-
|-
!
!
!Liitäntä
!Liitäntä
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
|-
!
!Muotoilu
|M.2
|-
|-
!
!
Rivi 100: Rivi 100:
* [http://www.samsung.com/fi/support/model/MZ-V6E250BW Samsung: 960 EVO NVMe M.2 SSDMZ-V6E250]
* [http://www.samsung.com/fi/support/model/MZ-V6E250BW Samsung: 960 EVO NVMe M.2 SSDMZ-V6E250]


[[Luokka:M.2-asemat]]
[[Luokka:250 gigatavun SSD:t]]
[[Luokka:SSD:t M.2-liittimellä]]
[[Luokka:NVMe-asemat]]
[[Luokka:NVMe-asemat]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|960 EVO MZ-V6E150BW]]
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|960 EVO MZ-V6E150BW]]

Nykyinen versio 6. toukokuuta 2019 kello 16.13

Yleistä Firmware-versio 2B7QCXE7
Kapasiteetti 250 Gt
Liitin M.2
Liitäntä PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
Mitat (L × K × S, mm) 80,15 × 22,15 × 2,38
Paino 7,7 g
NAND-tyyppi Samsung v-NAND
Ohjain Samsung Polaris
Välimuisti Samsung 512 Mt Low Power DDR3
Tuetut tekniikat
  • TRIM
  • S.M.A.R.T.
  • Auto Garbage Collection Algorithm
  • salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
Suorituskyky Sequential Read 3 200 Mt/s
Sequential Write 1 500 Mt/s
Random Read (4KB, QD32) 330 000 IOPS (Thread 4)
Random Write (4KB, QD32) 300 000 IOPS (Thread 4)
Random Read (4KB, QD1) 14 000 IOPS (Thread 1)
Random Write (4KB, QD1) 50,000 IOPS
Ympäristö Teho käytössä (tyyp.) 5,3 W
Teho tyhjäkäynnillä 40 mW
Kestävyys (MTBF) 1,5 milj. h
Toimintaympäristön lämpöalue 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
Iskunkestävyys 1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
Valmistajan takuu 3 v / 100 TBW

Mukana kokoonpanoissa

Aiheesta muualla