Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung MZ-V9S2T0BW” versioiden välillä
Ak: Uusi sivu: {| class="alternating" |- !Yleistä !Firmware-versio |2B7QCXE7 |- ! !Kapasiteetti |250 Gt |- ! !Liitin |M.2 |- ! !Liitäntä |PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 |- ! !Mitat (L × K × S, mm) |80,15 × 22,15 × 2,38 |- ! !Paino |7,7 g |- ! !NAND-tyyppi |Samsung v-NAND |- ! !Ohjain |Samsung Polaris |- ! !Välimuisti |Samsung 512 Mt Low Power DDR3 |- ! !Tuetut tekniikat | * TRIM * S.M.A.R.T. * Auto Garbage Collection Algorithm * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal |- !Suorituskyky !Sequenti... |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
| (Yhtä välissä olevaa versiota samalta käyttäjältä ei näytetä) | |||
| Rivi 3: | Rivi 3: | ||
!Yleistä | !Yleistä | ||
!Firmware-versio | !Firmware-versio | ||
| | |2B2QKXG7 | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Kapasiteetti | !Kapasiteetti | ||
| | |2 Tt | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| Rivi 15: | Rivi 15: | ||
! | ! | ||
!Liitäntä | !Liitäntä | ||
|PCIe | |PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0 | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| Rivi 23: | Rivi 23: | ||
! | ! | ||
!Paino | !Paino | ||
| | |9,0 g | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!NAND-tyyppi | !NAND-tyyppi | ||
|Samsung v-NAND | |Samsung v-NAND TLC | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Ohjain | !Ohjain | ||
|Samsung | |Samsung | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Välimuisti | !Välimuisti | ||
| | |Host Memory Buffer | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| Rivi 44: | Rivi 44: | ||
* Auto Garbage Collection Algorithm | * Auto Garbage Collection Algorithm | ||
* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal | * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal | ||
* lepotila | |||
|- | |- | ||
!Suorituskyky | !Suorituskyky | ||
!Sequential Read | !Sequential Read | ||
| | |7 250 Mt/s | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Sequential Write | !Sequential Write | ||
| | |6 300 Mt/s | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Random Read (4KB, QD32) | !Random Read (4KB, QD32) | ||
| | |1 000 000 IOPS (Thread 4) | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Random Write (4KB, QD32) | !Random Write (4KB, QD32) | ||
| | |1 350 000 IOPS (Thread 4) | ||
|- | |- | ||
!Ympäristö | !Ympäristö | ||
!Teho käytössä (tyyp.) | !Teho käytössä (tyyp.) | ||
| | |4,6 W | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Teho tyhjäkäynnillä | !Teho tyhjäkäynnillä | ||
| | |60 mW | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
| Rivi 87: | Rivi 80: | ||
! | ! | ||
!Iskunkestävyys | !Iskunkestävyys | ||
|1 500 G / 0,5 ms | |1 500 G / 0,5 ms | ||
|- | |- | ||
! | ! | ||
!Valmistajan takuu | !Valmistajan takuu | ||
| | |5 v / 1200 TBW | ||
|} | |} | ||
Nykyinen versio 10. syyskuuta 2025 kello 15.13
| Yleistä | Firmware-versio | 2B2QKXG7 |
|---|---|---|
| Kapasiteetti | 2 Tt | |
| Liitin | M.2 | |
| Liitäntä | PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0 | |
| Mitat (L × K × S, mm) | 80,15 × 22,15 × 2,38 | |
| Paino | 9,0 g | |
| NAND-tyyppi | Samsung v-NAND TLC | |
| Ohjain | Samsung | |
| Välimuisti | Host Memory Buffer | |
| Tuetut tekniikat |
| |
| Suorituskyky | Sequential Read | 7 250 Mt/s |
| Sequential Write | 6 300 Mt/s | |
| Random Read (4KB, QD32) | 1 000 000 IOPS (Thread 4) | |
| Random Write (4KB, QD32) | 1 350 000 IOPS (Thread 4) | |
| Ympäristö | Teho käytössä (tyyp.) | 4,6 W |
| Teho tyhjäkäynnillä | 60 mW | |
| Kestävyys (MTBF) | 1,5 milj. h | |
| Toimintaympäristön lämpöalue | 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa) | |
| Iskunkestävyys | 1 500 G / 0,5 ms | |
| Valmistajan takuu | 5 v / 1200 TBW |