Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW” versioiden välillä
Rivi 34: | Rivi 34: | ||
* Auto Garbage Collection Algorithm | * Auto Garbage Collection Algorithm | ||
* salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal | * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal | ||
|- | |- | ||
! | !Suorituskyky | ||
| | !Sequential Read | ||
|3 200 MB/sec | |||
|- | |||
! | |||
!Sequential Write | |||
|1 500 MB/sec | |||
|- | |||
! | |||
!Random Read (4KB, QD32) | |||
|330 000 IOPS (Thread 4) | |||
|- | |||
! | |||
!Random Write (4KB, QD32) | |||
|300 000 IOPS (Thread 4) | |||
|- | |||
! | |||
!Random Read (4KB, QD1) | |||
|14 000 IOPS (Thread 1) | |||
|- | |||
! | |||
!Random Write (4KB, QD1) | |||
|50,000 IOPS | |||
|- | |- | ||
!Paino | !Paino |
Versio 12. joulukuuta 2017 kello 15.08
Firmware-versio | TÄYDENNETTÄVÄ | |
---|---|---|
Kapasiteetti | 250 Gt | |
Liitäntä | PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 | |
Muotoilu | M.2 | |
Mitat (L × K × S, mm) | 80,15 × 22,15 × 2,38 | |
Paino | 7,7 g | |
NAND-tyyppi | Samsung v-NAND | |
Ohjain | Samsung Polaris | |
Välimuisti | Samsung 512 MB Low Power DDR3 | |
Tuetut tekniikat |
| |
Suorituskyky | Sequential Read | 3 200 MB/sec |
Sequential Write | 1 500 MB/sec | |
Random Read (4KB, QD32) | 330 000 IOPS (Thread 4) | |
Random Write (4KB, QD32) | 300 000 IOPS (Thread 4) | |
Random Read (4KB, QD1) | 14 000 IOPS (Thread 1) | |
Random Write (4KB, QD1) | 50,000 IOPS | |
Paino | 115 g | |
Kokoluokka | 2,5 " | |
Valmistajan takuu | 3 v | |
Virrankulutus (luku/kirjoitus) | 1,75 A | |
Teho (luku/kirjoitus) | 5,30 W | |
Tyhjäkäynnillä | 0,565 W | |
Luettaessa | 1,795 W | |
Kirjoitettaessa | 3,23 W | |
Tärinän kesto (käytössä) | 2,17 G | |
Tärinän kesto (käyttämättömänä) | 20 G |