Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW” versioiden välillä

Mummilan wikistä
Rivi 1: Rivi 1:
{| class="alternating"
{| class="alternating"
|-
|-
!Yleistä
!Firmware-versio
!Firmware-versio
|{{TODO}}
|{{TODO}}
|-
|-
!
!Kapasiteetti
!Kapasiteetti
|250 Gt
|250 Gt
|-
|-
!
!Liitäntä
!Liitäntä
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
|PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
|-
|-
!
!Muotoilu
!Muotoilu
|M.2
|M.2
|-
|-
!
!Mitat (L × K × S, mm)
!Mitat (L × K × S, mm)
|80,15 × 22,15 × 2,38
|80,15 × 22,15 × 2,38
|-
|-
!
!Paino
!Paino
|7,7 g
|7,7 g
|-
|-
!
!NAND-tyyppi
!NAND-tyyppi
|Samsung v-NAND
|Samsung v-NAND
|-
|-
!
!Ohjain
!Ohjain
|Samsung Polaris
|Samsung Polaris
|-
|-
!
!Välimuisti
!Välimuisti
|Samsung 512 MB Low Power DDR3
|Samsung 512 MB Low Power DDR3
|-
|-
!
!Tuetut tekniikat
!Tuetut tekniikat
|
|

Versio 12. joulukuuta 2017 kello 15.13

Yleistä Firmware-versio TÄYDENNETTÄVÄ
Kapasiteetti 250 Gt
Liitäntä PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
Muotoilu M.2
Mitat (L × K × S, mm) 80,15 × 22,15 × 2,38
Paino 7,7 g
NAND-tyyppi Samsung v-NAND
Ohjain Samsung Polaris
Välimuisti Samsung 512 MB Low Power DDR3
Tuetut tekniikat
  • TRIM
  • S.M.A.R.T.
  • Auto Garbage Collection Algorithm
  • salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
Suorituskyky Sequential Read 3 200 MB/sec
Sequential Write 1 500 MB/sec
Random Read (4KB, QD32) 330 000 IOPS (Thread 4)
Random Write (4KB, QD32) 300 000 IOPS (Thread 4)
Random Read (4KB, QD1) 14 000 IOPS (Thread 1)
Random Write (4KB, QD1) 50,000 IOPS
Ympäristö Virrankulutus tyyp. keskim. 5,3 W, tyhjäkäynnillä 40 mW
Kestävyys (MTBF) 1,5 milj. h
Toimintaympäristön lämpöalue 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
Iskunkestävyys 1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
Valmistajan takuu 3 v / 100 TBW

Mukana kokoonpanoissa

Aiheesta muualla