Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung MZ-V9S2T0BW” versioiden välillä

Nykyinen versio 10. syyskuuta 2025 kello 15.13

Yleistä	Firmware-versio	2B2QKXG7
	Kapasiteetti	2 Tt
	Liitin	M.2
	Liitäntä	PCIe 4.0 x4 / 5.0 x2, NVMe 2.0
	Mitat (L × K × S, mm)	80,15 × 22,15 × 2,38
	Paino	9,0 g
	NAND-tyyppi	Samsung v-NAND TLC
	Ohjain	Samsung
	Välimuisti	Host Memory Buffer
	Tuetut tekniikat	TRIM S.M.A.R.T. Auto Garbage Collection Algorithm salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal lepotila
Suorituskyky	Sequential Read	7 250 Mt/s
	Sequential Write	6 300 Mt/s
	Random Read (4KB, QD32)	1 000 000 IOPS (Thread 4)
	Random Write (4KB, QD32)	1 350 000 IOPS (Thread 4)
Ympäristö	Teho käytössä (tyyp.)	4,6 W
	Teho tyhjäkäynnillä	60 mW
	Kestävyys (MTBF)	1,5 milj. h
	Toimintaympäristön lämpöalue	0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
	Iskunkestävyys	1 500 G / 0,5 ms
	Valmistajan takuu	5 v / 1200 TBW

@@ Rivi 3: / Rivi 3: @@
 !Yleistä
 !Firmware-versio
-|{{TODO}}
+|2B2QKXG7
 |-
 !