Siirry sisältöön

Pannuhuone:Samsung MZ-V9S2T0BW

Mummilan wikistä
Versio hetkellä 10. syyskuuta 2025 kello 14.04 – tehnyt Jani Uusitalo (keskustelu | muokkaukset) (Ak: Uusi sivu: {| class="alternating" |- !Yleistä !Firmware-versio |2B7QCXE7 |- ! !Kapasiteetti |250 Gt |- ! !Liitin |M.2 |- ! !Liitäntä |PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2 |- ! !Mitat (L × K × S, mm) |80,15 × 22,15 × 2,38 |- ! !Paino |7,7 g |- ! !NAND-tyyppi |Samsung v-NAND |- ! !Ohjain |Samsung Polaris |- ! !Välimuisti |Samsung 512 Mt Low Power DDR3 |- ! !Tuetut tekniikat | * TRIM * S.M.A.R.T. * Auto Garbage Collection Algorithm * salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal |- !Suorituskyky !Sequenti...)
(ero) ← Vanhempi versio | Nykyinen versio (ero) | Uudempi versio → (ero)
Yleistä Firmware-versio 2B7QCXE7
Kapasiteetti 250 Gt
Liitin M.2
Liitäntä PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
Mitat (L × K × S, mm) 80,15 × 22,15 × 2,38
Paino 7,7 g
NAND-tyyppi Samsung v-NAND
Ohjain Samsung Polaris
Välimuisti Samsung 512 Mt Low Power DDR3
Tuetut tekniikat
  • TRIM
  • S.M.A.R.T.
  • Auto Garbage Collection Algorithm
  • salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
Suorituskyky Sequential Read 3 200 Mt/s
Sequential Write 1 500 Mt/s
Random Read (4KB, QD32) 330 000 IOPS (Thread 4)
Random Write (4KB, QD32) 300 000 IOPS (Thread 4)
Random Read (4KB, QD1) 14 000 IOPS (Thread 1)
Random Write (4KB, QD1) 50,000 IOPS
Ympäristö Teho käytössä (tyyp.) 5,3 W
Teho tyhjäkäynnillä 40 mW
Kestävyys (MTBF) 1,5 milj. h
Toimintaympäristön lämpöalue 0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
Iskunkestävyys 1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
Valmistajan takuu 3 v / 100 TBW

Mukana kokoonpanoissa

Aiheesta muualla

Noudettu kohteesta ”https://mummila.net/wiki/index.php?title=Pannuhuone:Samsung_MZ-V9S2T0BW&oldid=15864”