Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW” versioiden välillä

Versio 16. syyskuuta 2018 kello 16.07

Yleistä	Firmware-versio	2B7QCXE7
	Kapasiteetti	250 Gt
	Liitäntä	PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2
	Muotoilu	M.2
	Mitat (L × K × S, mm)	80,15 × 22,15 × 2,38
	Paino	7,7 g
	NAND-tyyppi	Samsung v-NAND
	Ohjain	Samsung Polaris
	Välimuisti	Samsung 512 Mt Low Power DDR3
	Tuetut tekniikat	TRIM S.M.A.R.T. Auto Garbage Collection Algorithm salaus: 256-bittinen AES ja TCG Opal
Suorituskyky	Sequential Read	3 200 Mt/s
	Sequential Write	1 500 Mt/s
	Random Read (4KB, QD32)	330 000 IOPS (Thread 4)
	Random Write (4KB, QD32)	300 000 IOPS (Thread 4)
	Random Read (4KB, QD1)	14 000 IOPS (Thread 1)
	Random Write (4KB, QD1)	50,000 IOPS
Ympäristö	Teho käytössä (tyyp.)	5,3 W
	Teho tyhjäkäynnillä	40 mW
	Kestävyys (MTBF)	1,5 milj. h
	Toimintaympäristön lämpöalue	0 °C - 70 °C (SMART-mittauksessa)
	Iskunkestävyys	1 500 G / 0,5 ms, 3-ulott.
	Valmistajan takuu	3 v / 100 TBW

@@ Rivi 35: / Rivi 35: @@
 !
 !Välimuisti
-|Samsung 512 MB Low Power DDR3
+|Samsung 512 Mt Low Power DDR3
 |-
 !
@@ Rivi 47: / Rivi 47: @@
 !Suorituskyky
 !Sequential Read
-|3 200 MB/sec
+|3 200 Mt/s
 |-
 !
 !Sequential Write
-|1 500 MB/sec
+|1 500 Mt/s
 |-
 !
@@ Rivi 70: / Rivi 70: @@
 |-
 !Ympäristö
-!Virrankulutus
+!Teho käytössä (tyyp.)
-|tyyp. keskim. 5,3 W, tyhjäkäynnillä 40 mW
+|5,3 W
+|-
+!
+!Teho tyhjäkäynnillä
+|40 mW
 |-
 !