Ero sivun ”Pannuhuone:Samsung PM981 MZVLB256HAHQ” versioiden välillä
Ei muokkausyhteenvetoa |
Ei muokkausyhteenvetoa |
||
Rivi 128: | Rivi 128: | ||
* [https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2018/05/PM981_M.2_SSD_Datasheet_v1.3_for_General.pdf Samsung: M.2 NVMe PCIe SSD specification (PM981)] (PDF) | * [https://www.samsung.com/semiconductor/global.semi/file/resource/2018/05/PM981_M.2_SSD_Datasheet_v1.3_for_General.pdf Samsung: M.2 NVMe PCIe SSD specification (PM981)] (PDF) | ||
[[Luokka:250-499 gigatavun SSD | [[Luokka:250-499 gigatavun SSD:t]] | ||
[[Luokka:SSD | [[Luokka:SSD:t M.2-liittimellä]] | ||
[[Luokka:NVMe-asemat]] | [[Luokka:NVMe-asemat]] | ||
[[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|PM981 MZVLB256HAHQ]] | [[Luokka:Samsungin massamuistikomponentit|PM981 MZVLB256HAHQ]] |
Nykyinen versio 6. toukokuuta 2019 kello 16.12
Yleistä | Firmware-versio | TÄYDENNETTÄVÄ |
---|---|---|
Kapasiteetti | 256 Gt | |
Liitin | M.2 | |
Liitäntä | PCIe 3.0 x4, NVMe 1.2a | |
Mitat (L × P × S, mm, ±0,15) | 22,00 × 80,00 × 2,38 | |
Paino | 9,0 g | |
NAND-tyyppi | 3D MLC | |
Ohjain | Samsung Polaris | |
Välimuisti | TÄYDENNETTÄVÄ | |
Tuetut tekniikat |
| |
Suorituskyky | Sequential Read | 3 000 MB/sec |
Sequential Write | 1 300 MB/sec | |
Random Read (4KB) | 130 000 IOPS | |
Random Write (4KB) | 310 000 IOPS | |
Virrankulutus | Jännite | 3,3V ± 5 % |
Hurinajännite (enint.) | 100 mV p-p | |
Teho luettaessa (tyyp., RMS) | 5,9 W | |
Teho kirjoitettaessa (tyyp., RMS) | 5,7 W | |
Teho käyttämättömänä (tyyp.) | 30 mW | |
Teho käyttämättömänä, L1.2 (tyyp.) | 5 mW | |
Ympäristö | Virrankulutus | tyyp. keskim. 5,3 W, tyhjäkäynnillä 40 mW |
Kestävyys (UBER) | <1 sektori / 1015 bit | |
Kestävyys (MTBF) | 1,5 milj. h | |
Ympäristön lämpöalue käytössä | 0 — 70 °C | |
Ympäristön lämpöalue käyttämättömänä | -40 — 85 °C | |
Ympäristön kosteusalue | 5 — 95 % (tiivistymätöntä) | |
Iskunkestävyys käyttämättömänä | 1 500 Gpeak | |
Tärinänkestävyys käyttämättömänä | 20 Gpeak | |
Valmistajan takuu | 3 v / 100 TBW |